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HPGe1620 反康普頓超低本底高純鍺能譜儀

更新時(shí)間：2025-03-07

訪問(wèn)量：6741

廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家

生產(chǎn)地址：上海

簡(jiǎn)要描述：

SIM-MAX HPGe1620 反康普頓超低本底高純鍺能譜儀采用自主研制的新型反符合探測(cè)器，能達(dá)到極低的本底水平和高性能的反康普頓散射水平，可用于低放射性材料的檢測(cè)?？舍槍?duì)不同的測(cè)量對(duì)象，選擇測(cè)量模式。例如，常規(guī)模式、反康普頓模式、反宇宙射線模式、超低本底的反康普頓反宇宙射線功能、超高效率反康測(cè)量、γ-γ符合測(cè)量、γ-β符合測(cè)量。

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產(chǎn)品介紹：

測(cè)量范圍	1000：1	測(cè)量方式	在線測(cè)量
測(cè)量時(shí)間	300s	產(chǎn)地	國(guó)產(chǎn)
加工定制	否

SIM-MAX HPGe1620 反康普頓超低本底高純鍺能譜儀

SIM-MAX HPGe1620 反康普頓超低本底高純鍺能譜儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

SIM-MAX HPGe1620 反康普頓超低本底高純鍺能譜儀采用自主研制的新型反符合探測(cè)器，能達(dá)到極低的本底水平和高性能的反康普頓散射水平，可用于低放射性材料的檢測(cè)。可針對(duì)不同的測(cè)量對(duì)象，選擇測(cè)量模式。例如，常規(guī)模式、反康普頓模式、反宇宙射線模式、超低本底的反康普頓反宇宙射線功能、超高效率反康測(cè)量、γ-γ符合測(cè)量、γ-β符合測(cè)量。

在核環(huán)境監(jiān)測(cè)、放射性生物學(xué)和核醫(yī)學(xué)領(lǐng)域，多數(shù)情況下測(cè)量樣品的比活度與周圍環(huán)境土壤中微量天然放射性核素的比活度為同一數(shù)量級(jí)。這種情況下，需要降低系統(tǒng)的本底，包括來(lái)自宇宙射線的環(huán)境本底和康普頓效應(yīng)帶來(lái)的本底，SIM-MAX HPGe1620反康普頓反宇宙射線超低本底高純鍺伽瑪能譜儀就是基于解決這一問(wèn)題而研制的。

SIM-MAX HPGe1620 反康普頓超低本底高純鍺能譜儀功能特點(diǎn)：

◆ 可探測(cè)能量范圍廣（10KeV~10MeV）

◆ 配套全中文界面軟件，操作簡(jiǎn)單、功能齊全

◆ 超低本底屏蔽系統(tǒng)和電子學(xué)反符合線路，降低本底對(duì)樣品測(cè)試的影響

◆ 可實(shí)現(xiàn)超低本底樣品的測(cè)量

SIM-MAX HPGe1620 反康普頓超低本底高純鍺能譜儀技術(shù)規(guī)格：

主探測(cè)器	同軸HPGe探測(cè)器
反符合屏蔽探測(cè)器	自主研制
積分本底	0.1~0.4cps
康普頓抑制系數(shù)	≥6.0
峰康比	1000：1
峰形參數(shù)	1.90：1
相對(duì)探測(cè)效率	40%
能量響應(yīng)范圍	10KeV~10MeV
尺寸	1650×750×1700（mm）
通訊接口	USB接口及RJ45網(wǎng)絡(luò)接口
供電方式	220V/50Hz單相交流電
工作環(huán)境	一般環(huán)境：溫度：20℃~30℃，相對(duì)濕度：5%~60%； jia條件：溫度：22℃，相對(duì)濕度：20%。